山林錦翠色，草木吐清芳，蟬鳴穿竹徑，暑氣伴風(fēng)藏。
即便夏日山林里滿是清涼，也吹不散科研基地里緊張的節(jié)奏。
尤其是黎洛嶼，自從項(xiàng)目正式啟動(dòng)之后，她的日子過的相當(dāng)忙碌，一天的時(shí)間恨不得能分出八瓣兒來。
尤其是項(xiàng)目剛啟動(dòng)前期，各種問題扎堆冒頭，黎洛嶼連坐下來喝杯熱水的時(shí)間都沒有。
早上七點(diǎn)開始，一上午一輪各科研室前一日遇到的各種技術(shù)卡點(diǎn)、算法優(yōu)化困難、數(shù)據(jù)處理難題、理論模型沖突分析等輪番的緊急技術(shù)攻堅(jiān)問題解答。
黎洛嶼就就這么淡定的坐在會(huì)議室內(nèi)，手邊放著一個(gè)搪瓷缸子，身后是一塊超級(jí)大的白板，方便她寫寫畫畫。
“夏總工，我們的衛(wèi)星供電模塊遇到技術(shù)卡點(diǎn)，按設(shè)計(jì)方案，鋰電池在低溫環(huán)境下的續(xù)航能力應(yīng)該能維持 8小時(shí)，可實(shí)際測(cè)試只能撐 5小時(shí)，反復(fù)換了電芯、調(diào)整了電路，結(jié)果還是一樣，不知道問題出在哪？”
黎洛嶼接過實(shí)驗(yàn)記錄，快速翻到低溫測(cè)試的數(shù)據(jù)頁(yè)，手指停在“環(huán)境溫度- 20℃”的標(biāo)注上，隨即走到白板前畫下電池的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：“問題不在電芯或電路，是你們忽略了低溫下電解液的離子遷移速率。-20℃時(shí)電解液黏度會(huì)升高，離子移動(dòng)變慢，導(dǎo)致放電效率下降。你讓團(tuán)隊(duì)在電池外殼加一層超薄的柔性加熱膜，設(shè)定溫度低于- 15℃時(shí)自動(dòng)啟動(dòng)，維持電解液在最佳工作溫度區(qū)間，再把放電保護(hù)電壓從 微調(diào)至 ，這樣續(xù)航應(yīng)該能達(dá)標(biāo)，下午就能做測(cè)試驗(yàn)證。”
問：“基材在低溫測(cè)試時(shí)導(dǎo)電性下降嚴(yán)重，不知道問題出在哪。”
答：“這里的金屬元素配比可能需要微調(diào)，我讓新材料實(shí)驗(yàn)室的團(tuán)隊(duì)下午送幾組調(diào)整后的樣品過來。”
問：“夏總工，我們的耐高溫合金遇到了理論模型沖突分析的問題——按現(xiàn)有合金理論模型，添加 5%的鈦元素能提升 20%的耐溫性，但實(shí)際測(cè)試只提升了 8%，模型和實(shí)驗(yàn)結(jié)果對(duì)不上，不知道哪里錯(cuò)了？”
黎洛嶼走到白板前，畫出合金的微觀結(jié)構(gòu)示意圖：“你們忽略了鈦元素和基體金屬的晶界擴(kuò)散問題。理論模型假設(shè)元素均勻分布，但實(shí)際熔煉時(shí)，鈦會(huì)在晶界聚集，反而影響耐溫性。調(diào)整熔煉溫度，在 1200℃時(shí)保溫 30分鐘，促進(jìn)元素均勻擴(kuò)散，再測(cè)一次，結(jié)果應(yīng)該能貼近模型預(yù)期，我把調(diào)整后的熔煉參數(shù)表發(fā)給你。”
“夏總工，我們的信號(hào)接收模塊有技術(shù)卡點(diǎn)，接收靈敏度達(dá)不到北斗衛(wèi)星的要求，排查了天線、電路，都沒找到問題，您能幫忙看看嗎？”
黎洛嶼接過模塊圖紙，指著信號(hào)放大電路：“這里的放大器偏置電壓不對(duì)。靈敏度低是因?yàn)槠秒妷簺]落在最佳工作點(diǎn)，導(dǎo)致信號(hào)放大時(shí)噪聲疊加。把偏置電壓從 調(diào)到 ，再搭配低噪聲電阻，靈敏度能提升 15dB，剛好滿足要求，你們現(xiàn)在就能拆模塊調(diào)整，上午就能復(fù)測(cè)。”
一整個(gè)上午，會(huì)議室的門開了又關(guān)，各實(shí)驗(yàn)室的人來了一波又一波，黎洛嶼始終淡定地坐在椅子上，要么在白板上推演方案，要么接過設(shè)備參數(shù)表快速計(jì)算，搪瓷缸子被來人碰倒了好幾次，她都只是隨手扶起來，目光從沒離開過問題核心。
中午就隨意扒拉兩口飯，各科室就各忙活自已的項(xiàng)目。而黎洛嶼則進(jìn)入自已的獨(dú)立實(shí)驗(yàn)室忙活自已的事情。
晚上想起來了，扒拉兩口飯，想不起來了，就在實(shí)驗(yàn)室里繼續(xù)泡著。
黎洛嶼把科研攻克最難的部分分給了自已：光刻機(jī)。
為什么是她自已主攻這個(gè)項(xiàng)目呢，那是因?yàn)椋饪虣C(jī)是芯片研發(fā)的“卡脖子”核心設(shè)備。
要知道，不管是北斗衛(wèi)星的導(dǎo)航芯片還是計(jì)算機(jī)項(xiàng)目的核心處理器，都得靠光刻機(jī)才能生產(chǎn)，要是沒有這個(gè)設(shè)備，那這兩個(gè)項(xiàng)目就全成了“空中樓閣”。
現(xiàn)下的別說國(guó)內(nèi)連臺(tái)能做精密加工的普通機(jī)床都得靠進(jìn)口，更別說光刻機(jī)這種能刻出微米級(jí)電路的“國(guó)之重器”了，國(guó)外這會(huì)兒也都還沒有摸到光刻機(jī)研發(fā)的門檻呢。
要研發(fā)光刻機(jī)最難的技術(shù)問題，首當(dāng)其沖的是光學(xué)系統(tǒng)的精密適配。
光刻機(jī)刻蝕電路依賴的“光刀”，不僅需要穩(wěn)定的能量輸出，更要通過多組鏡片實(shí)現(xiàn)光束聚焦與路徑校準(zhǔn)。
當(dāng)前壓根沒有高精度光學(xué)加工設(shè)備，實(shí)驗(yàn)室里的鏡片要么是從舊相機(jī)、望遠(yuǎn)鏡里拆的二手貨，要么是機(jī)修組用手工研磨的簡(jiǎn)易鏡片，表面平整度誤差常超過 5微米，遠(yuǎn)達(dá)不到光刻要求的 0.5微米標(biāo)準(zhǔn)。
其次是光刻膠的自主研發(fā)。
光刻時(shí)需要在硅片表面涂覆光刻膠，光束照射后，光刻膠會(huì)發(fā)生化學(xué)變化，再通過顯影、蝕刻形成電路圖案。
可當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)沒有專用光刻膠，只能用進(jìn)口的普通感光膠替代，這種膠敏感度極低，要么曝光不足導(dǎo)致電路圖案模糊，要么曝光過度讓膠層開裂。所以，沒有適配的光刻膠，也就無法穩(wěn)定刻蝕電路。
最后是多環(huán)節(jié)的協(xié)同同步。
光刻不是“刻完就完”，從硅片清洗、涂膠，到光束刻蝕、顯影蝕刻，每個(gè)環(huán)節(jié)都要精準(zhǔn)銜接。
比如涂膠厚度需控制在 3微米以內(nèi)，厚了會(huì)導(dǎo)致顯影不徹底，薄了又會(huì)讓電路刻穿；顯影時(shí)間差 10秒，就可能讓圖案邊緣殘缺。
而之所以是她自已獨(dú)立挑下光刻機(jī)研發(fā)的重?fù)?dān)，是因?yàn)樗欣紫诞惸芎途窳Α?/p>
這兩種特殊能力，恰好可以輔助她快速完成技術(shù)攻堅(jiān)。
雷系異能可以精準(zhǔn)控制能量輸出，模擬光刻機(jī)所需的高能光束。
普通設(shè)備要產(chǎn)生刻蝕電路的光束，得靠復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng)和能量供給裝置，可基地里壓根沒有這種精密設(shè)備，因此黎洛嶼的雷系異能就成了“天然能量源”。
她能將雷電能量壓縮成極細(xì)的光束，能量強(qiáng)度能精確到毫焦級(jí)別，剛好滿足微米級(jí)電路的刻蝕需求。
若是遇到光束偏移的問題，她還能靠異能微調(diào)能量軌跡，比機(jī)械裝置的響應(yīng)速度快上百倍，省去了反復(fù)調(diào)試設(shè)備的時(shí)間。
若是光刻機(jī)刻蝕電路時(shí)，哪怕鏡片有微米級(jí)的偏移、光束能量有一絲波動(dòng)，都會(huì)導(dǎo)致電路報(bào)廢。
而黎洛嶼的精神力能拆分成成千上萬(wàn)道細(xì)微的“探針”，一道盯著光束能量變化，一道監(jiān)測(cè)鏡片位置，還有幾道專門校準(zhǔn)電路圖案的精度，任何微小偏差都逃不過她的感知。
因此，光刻機(jī)的研發(fā)，于黎洛嶼而言，并不復(fù)雜，無外乎就是耗費(fèi)精神，透支點(diǎn)兒雷系異能罷了。